桂林理工徐军古Acta Materialia: Ga/Mo共掺杂稳定的四方LaNbO4材料的高浓度氧空位及电导率提升
来源:材料牛论文DOI:https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.120345全文速览:本文报道了通过在Nb位上等摩尔Ga和Mo共掺杂,在LaNbO4中实现了由氧空位传导的高氧离子电导率,例如在900 ºC下为3×10−3 S cm-1。这种共掺杂可以有效地将高温四方相LaNbO4稳定至室温。通过计算模拟,深入研究了氧空位缺陷的局域结构和导电...
2024
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