2024年12月15日下午，上海稀土聚氨酯硅酸盐协会联合党支部在上海师范大学化学楼会议室召开党员大会，会议由支部书记吴建思主持，联合支部周襄瑶、高爱根、陈奕睿、杨利锋、崔中倪全体党员出席。会上，全体党员通过聆听报告，观看视频等多种形式的学习方式，认真学习领会2024年中央经济工作会议的会议精神，以及《必须坚持守正创新》、《深入推进党的自我革命》等重要文章的主要内容，还对联合支部今年工作总结及明年工作打算进行了交流讨论，尤其是针对如何发挥好党建引领作用，充分发挥三家协会各自的优势，瞄准新材料产业未来的发展方向，积极向政府建言献策，为会员单位拓展下游市场，集行业之力，助企业发展，党员们畅所欲言，提出了很多宝贵的意见和建议。党员们纷纷表示作为一名党员，要认真贯彻落实习近平总书记重要讲话精神和中央经济工作会议精神，始终同以习近平同志为核心的党中央保持高度一致，把坚定理想信念作为终身课题，常修常炼、常悟常进，始终坚守共产主义远大理想和中国特色社会主义共同理想，无论顺境逆境都风雨如磐，经得起大浪淘沙的考验。全体党员一致认为，我们要唱响主旋律，弘扬正能量，紧跟时代步伐，围绕国家发展战略，聚焦社会需要、适合会员需求的事，与时俱进，擘画新篇，为明年工作做好准备，把握大势，坚定信心。协会工作要学会翻篇和调频来适应社会，与企业和政府同频共振，同志相吸，不断加强协会自身建设、党的建设和行业自律建设，强化为...
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来源：中国科学院新疆理化技术研究所双折射率是双折射晶体及非线性光学晶体的关键参数，它在调制光的偏振和实现角度相位匹配方面发挥着不可或缺的作用。目前，仅有少数几种双折射材料被商业化应用，包括MgF2、α-BaB2O4（α-BBO）、CaCO3、YVO4、TiO2和LiNbO3。它们双折射率范围为0.012~0.256。因此迫切需要寻找具有显著光学各向异性的双折射材料。然而，相较于庞大的材料设计空间，传统的试错法不仅耗时较长，而且在资源利用方面效率低下。近期，中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心发展了双折射率高通量筛选方法，首次构建了双折射材料的全应用波段图谱，涵盖了可见、紫外、深紫外波段。在具有146,323个结构的未知化学空间中进行了无偏的高通量筛选，从中筛选出579种材料，其双折射率超过了相应区域内现有商用双折射材料的标准。重要的是，其中54种材料的双折射率在1064 nm处超过了0.5。本研究还开发了一种针对具有特定配位数的微观结构的高通量筛选技术，并据此构建了双折射活性功能模块的综合图谱。根据该图谱，团队成功设计并合成了一种新型晶体Li2(HC3N3S3)·5H2O，其在546 nm波长下的双折射率为0.532。相关研究成果发表在《先进功能材料》（Adv. Funct. Mater., 2024,34,2409716）上，新疆理化技术研究所为唯一通讯单位，晶...
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来源：西安交通大学氮化物基发光二极管（LED）可广泛应用于照明、显示及通信领域。其中，光源的线偏振特性作为一项关键的功能扩展，为显示背光、3D成像、信息加密和生物医学诊断等领域开辟了全新的应用路径。然而，现有的在c平面蓝宝石衬底上外延生长的LED普遍被视为非偏振光源，偏振消光比（ER）极低，难以满足应用需求。研究发现，通过在LED表面集成线偏振光学结构可以提高ER，这些结构作为模式选择层提取横向磁（TM）模式，实现偏振发射。然而，由于横向电（TE）模式被吸收或反射，不可避免地导致至少50%的效率损失。这种偏振发射与发光效率之间的矛盾制约了线偏振LED的发展和应用。针对这一难题，西安交大电信学部电子科学与工程学院先进光电所云峰教授团队通过创新设计，成功引入了具有损耗模式回收机制的Ag/GaN超构光栅结构，解决了线偏振LED中偏振与效率之间的矛盾，实现了发光效率与偏振度的双重提升。特殊设计的超构光栅结构采用低成本的激光干涉光刻技术制造，通过双折射效应诱导TE/TM模式转换，同时借助Bragg散射建立动量补偿，促进被捕获TM模式的解耦合出射。在此基础上，团队进一步集成了Al纳米光栅的模式选择层，成功实现了基于氮化镓的蓝色线偏振Micro-LED。该Micro-LED在±60°的视角范围内实现了21.92 dB的平均偏振消光比（ER），与传统Ag反射器设计相比，其发光效...
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以氧化镓（Ga2O3）和金刚石（Diamond）为代表的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能，可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求，应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件，具有良好的电流和电压承载能力，是功率电子器件发展的重要方向。然而，超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的主要问题，比如氧化镓难以实现p型掺杂，金刚石难以实现低电阻率的n型掺杂。因此，构建具有良好界面和能带匹配的p-Diamond/n-Ga2O3二极管，是实现高性能超宽禁带pn结二极管的理想组合，有利于充分发挥超宽禁带半导体在先进电力电子器件中的应用优势。然而，异质结器件常面临较高界面失配和缺陷密度，会引起掺杂失效与耐压性能下降，是实现千伏级功率器件的瓶颈问题。阅读原文
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