来源：厦门钨业日前，厦门钨业（600549）稀土光电晶态材料研究所在采用泡生法生长大尺寸BGO闪烁晶体方面取得重大技术突破。经过两年的不懈努力，项目团队借鉴泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的成功经验，克服了包括两元组分偏离化学计量比导致的晶体着色问题、温场不均匀引起的毛坯形状扭曲等生长缺陷，通过不断优化坩埚几何要素、温度场和生长参数，成功生长出无色透明的BGO闪烁晶体。这一技术突破标志着厦门钨业在晶体生长技术方面迈出了重要一步，用泡生法生长的BGO闪烁晶体毛坯加工而成的晶体元件闪烁性能与下降法生长的BGO闪烁晶体相当，不仅满足了工业物料在线监测等领域对大尺寸BGO闪烁晶体的迫切需求，也为下游用户的技术研发工作提供了有力支持。厦门钨业稀土光电晶态材料研究致力于高性能、高附加值产品的研发,公司在泡生法生长大尺寸BGO闪烁晶体方面的技术突破，为下游行业的发展奠定了坚实的基础，并有望进一步推动中国功能晶态材料的发展。据悉，锗酸铋（Bi4Ge3O12，简称BGO）闪烁晶体因其卓越的综合性能在粒子物理研究、核医学、安全检查、工业在线监测和资源勘探等多个领域发挥着重要作用。随着辐射探测技术的快速发展，市场对大尺寸BGO闪烁晶体的需求日益增长
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来源：化学加在材料科学领域，组装研究显著推动了将分子基元转化为具有新特性和功能的新材料。通过精巧的自组装，研究人员能够实现一些在分子层面上不可能出现的现象和特性，例如将非手性分子组装成手性结构、使同一发光分子在不同组装状态下表现不同的发光特性、以及实现室温磷光和聚集诱导发光等。这些突破在化学传感、分子封装、光学编码等领域引起了广泛关注。在相关组装研究中，稀土发光配合物尤其引人注目。这类配合物将稀土离子的优异发光特性与有机分子的高度可设计性完美结合，可作为高效的光转换分子器件。稀土发光配合物的分子结构可进行有序定向设计，从而实现多级组装，进一步增强了其在器件和材料领域的应用潜力。本文在实现了稀土配合物溶液中的可控自组装及组装诱导发光 (SAIL) 的基础上 (Natl. Sci. Rev., 2022, 9, nwab016)，首次实现了Eu3+配合物介导的Ag纳米粒子静电自组装，并将其用于物理不可克隆 (PUF) 防伪标签制备 (图1)。本文创新地利用带正电荷的Eu3+配合物 ([EuL3]3+) 作为“离子胶水”，促进带负电荷的Ag-NPs自组装过程，从而形成Eu/Ag-NPs组装体。这种基于Ag-NPs的自组装结构借助表面等离子体效应有效地调制了[EuL3]3+的荧光强度和寿命，并表现出显著的拉曼增强现象 (图2)。进一步，本文采用由库仑力驱动的自组装体Eu/Ag-NPs作为材...
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来源：清华大学出版社学术期刊1、导读本工作通过快速烧结合成8组元高熵稀土钽酸盐(8RE1/8)TaO4，与单组分稀土钽酸盐和8YSZ相比，(8RE1/8)TaO4在1200 ℃时的本征热导率分别降低了30.0%~31.1%和59.2%~67.5%，并且在100至1200 ℃的整个温度范围内都表现出较低的本征热导率。这是声子-声子、晶界、畴界、位错和缺陷散射的结果。此外，(8RE1/8)TaO4的离子电导率在900 ℃时比8YSZ低3~5个数量级，主要是因为高的激活能，较大的键力常数和严重的晶格畸变协同抑制了氧离子的迁移。以上结果表明(8RE1/8)TaO4是一种性能优异的热障-氧障一体化陶瓷材料。2、研究背景随着航空发动机、燃气轮机、火箭发动机和高超声速飞行器等重大装备对高温热端部件性能需求的不断提升，耐高温、低导热和高阻氧涂层的研制已成为热障涂层（Thermal barrier coatings, TBCs）领域的研究热点。氧化钇稳定性氧化锆（YSZ）是目前主要的热障涂层材料，一方面，氧分子通过涂层中的多孔结构和微观裂纹传输，加速粘结层和基体的氧化，导致热生长氧化物TGO的过度生长；另一方面，由于YSZ具有极高的氧离子电导率，即使将其制备成致密的涂层材料，氧离子仍然能通过氧空位（称作载流子）渗透至粘结层和基体并将其氧化。双氧通道传输（氧分子渗透和氧离子扩散）加速了粘结层的氧化和T...
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来源：云南大学近日，云南大学胡万彪团队（现代工学院/材料与能源学院/电镜中心/云南省电磁材料与器件重点实验室）在Nature Communications发表题为“Atomic-level direct imaging for Cu(I) multiple occupations and migration in 2D ferroelectric CuInP2S6”的研究论文。二维范德华铁电材料因奇特的物理和量子现象，广泛应用于场效应晶体管（FET）、非易失性存储器、铁电隧道结（FTJ）等领域。二维单斜（Cc）结构的CuInP2S6（CIPS），因其四势阱可调节的室温铁电性，在电子器件领域得到了广泛的研究。CIPS的铁电极化与Cu(I）所在晶格的位置有较强的关联性。如图1a所示，CIPS由InS6八面体笼，Cu(I）子以及P-P对构成一个连续的层，层与层之间通过范德瓦尔斯力以ABAB的堆垛方式构成完整的二维晶体。在TC点以下，Cu(I）自发的占据位置I（位置III），导致晶体的空间反演对称性破缺；从而产生朝下（朝上）的自发极化。由于Cu(I）的可迁移性，在CIPS晶体当中存在着面外（OOP）和面内（IP）两种极化（图1b）。当施加外场（如电场、应力、热等）时，Cu(I）的占位可以切换，使极化方向与场方向对齐（例如，当外加电场向上时，所有Cu(I)离子都切换到III位置，使极化点向上...
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