来源：中国科学院新疆理化技术研究所红外非线性光学晶体作为激光频率转换的关键器件，在全固态激光器中具有重要的应用。当前商用的红外非线性光学晶体主要包括由四面体基团构成的黄铜矿型化合物，如AgGaS2 (AGS)， AgGaSe2和ZnGeP2 (ZGP)等。然而，由于各自本征的性能缺陷，这些材料已不能完全满足当前红外激光技术发展的需求。因此，亟需基于新的基团或新的策略进行新型红外非线性光学材料的设计，突破现有材料性能的限制，获得结构新颖的高性能新型红外非线性光学材料。中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心一直致力于新型光电功能晶体的研究。前期研究表明汞具有独特的电子构型，有利于形成高度极化的Hg2+离子，从而产生显著的非线性光学响应。同时，Hg具有丰富的配位形式，在与硫族元素键合的过程中可以形成线性的[HgSe2]，平面型的[HgSe3]及三角锥形的[HgQ4] (Q = S, Se)非线性活性基元。由于鲍林第五规则（节约规则）的限制，前期合成的Hg基硫属化合物大多仅包含单一的非线性活性基元，且以[HgQ4]四面体构成的化合物居多，限制了Hg基化合物的化学及结构多样性。中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心潘世烈研究员及李俊杰研究员带领的研究团队在前期的研究基础上，在Hg基硫属化合物体系提出了“三合一”的设计策略，即将三种具有非线性活性、但极化率各向异性不同的[HgQn]...
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来源：中国科学院上海硅酸盐研究所反铁电钙钛矿氧化物中自发极化会呈现丰富的调制序构，在电场激励下可以实现反铁电态和铁电态之间的可逆或不可逆转变，并伴随着强烈的电荷、体积或热量变化，成为储能、换能和驱动等应用的关键物理基础。近日，中国科学院上海硅酸盐研究所许钫钫研究员带领的材料透射电镜显微结构表征团队和王根水研究员带领的铁电陶瓷材料与器件研究团队开展深入合作，在PbZrO3基反铁电材料的极化序构研究方面取得新进展。目前，国际上关于PbZrO3基反铁电材料的基态结构存在广泛争议，理论上提出了多种能量相近并相互竞争的极化序构。这其中，一种具有三倍调制周期的亚铁电相吸引了科研人员的广泛兴趣，因为它是唯一一种调制周期小于经典四倍周期的反铁电相。因此，从实验上来验证这一新型亚铁电相的客观存在与调控，对于深入认识PbZrO3基反铁电材料具有重要意义。在这样的背景下，上海硅酸盐所的研究团队通过构建晶格失配诱导相分离的策略，在PbZrO3薄膜中构建出理论预测的三倍周期调制结构，并且其体积分数可以通过薄膜的厚度进行调控。一方面，实验发现了这种特殊的三倍调制周期亚铁电相与经典的四倍调制周期反铁电相形成交替共生的分相结构，宽度约为3~20 nm，在[100]取向的薄膜中，两相的界面平行于（110）面，且贯穿薄膜；另一方面，研究揭示了三倍调制周期亚铁电相随薄膜厚度增大而逐渐增多的现象，这一现象背后的物理机制主...
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2024年5月9日下午，上海市稀土协会牵头上海三环磁性材料有限公司和上海普利特伴泰材料科技有限公司跨界交流对接。交流中，双方的总经理就各自企业情况作了介绍，让彼此对两家企业的业务范畴、技术实力和市场地位有了更为清晰的认识。随后，技术人员围绕高分子材料与稀土功能材料有机融合共存的难点展开的深入交流，尤其是在讨论高分子材料和稀土磁性材料的特性和相似的生产工艺时，展现出了极高的专业素养和严谨的态度。通过互学互鉴，双方不仅找到了共同面临的关键核心技术难点，还就如何攻克这些难点进行了深入的探讨。这种交流不仅提升了双方的信心，也增加了研发动力，为未来的合作打下了坚实的基础。协会本次组织的企业跨界对接服务交流活动无疑是一次富有成效的尝试。不仅为双方企业提供了一个展示自己、了解对方的机会，更为产业合作开辟了新的可能。通过精准服务，挖掘互利合作潜力，双方可以汇聚力量，找准接口点，共同推动产业融合共享共赢，推动产业升级和创新发展。出席本次活动的有，上海三环磁性材料有限公司总经理饶晓雷、技术部经理陈玮、郭晓燕，上海普利特伴泰材料科技有限公司总经理肖浩、技术工程师周良宵及相关技术人员，上海市稀土协会秘书长吴建思、副秘书长崔中倪。
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来源：中国科学院上海硅酸盐研究所近日，上海市总工会召开“建功‘十四五’、奋进新征程”2024年上海职工劳动和技能竞赛动员会，上海市教委、市商务委、市市场监管局、市国资委等部门相关领导出席会议。此次大会对荣获第三届“上海职工优秀创新成果奖”等项目颁奖。中国科学院上海硅酸盐研究所新材料中试研发中心陈俊锋等人完成的“超快掺钇氟化钡闪烁晶体研制及关键领域探测应用”项目荣获三等奖（证书号：2024-S001）。高能物理前沿大科学工程、硬X射线自由电子激光装置、高端诊疗和核分析仪器等领域，迫切需要超快无机闪烁体以实现高重复频率（~GHz）、高空间分辨（~亚毫米）、高时间分辨（~1-100皮秒）的超快探测。氟化钡（BaF2）晶体是一种最为经典且具有代表性的交叉发光超快衰减无机闪烁体，尽管其亚纳秒超快闪烁发光在1983年已被发现，但遗憾地是该材料还存在引起信号堆积和失真现象的慢闪烁发光（~630ns，4-5倍于快发光），抑制慢成分一直是该超快闪烁体走向应用的主要瓶颈。自1989年起30余年，通过掺杂抑制慢成分的研究受到了国内外持续关注，提出了20余种抑制慢成分掺杂方案，但未能得到实际应用。陈俊锋等人提出了抑制BaF2晶体慢闪烁发光的钇掺杂新策略，在国际上率先报道了BaF2单晶中钇掺杂的慢闪烁成分抑制特性（IEEE Trans.Nucl. Sci. 2018, 65 (8): 2147-2151），...
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